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当社電子線レジストが「半導体・オブ・ザ・イヤー2020」優秀賞を受賞印刷用ページ

2020年6月25日


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日本ゼオン株式会社(社長:田中公章)が開発した、次世代電子部品向けポジ型電子線レジストが、電子デバイス産業新聞主催の「半導体・オブ・ザ・イヤー2020」において、半導体電子材料部門で優秀賞を受賞しました。


「半導体・オブ・ザ・イヤー」は、電子デバイス産業新聞(発行元:産業タイムズ社)の主催により、IT産業を支える最先端の製品・技術を表彰し、半導体業界のさらなる発展に寄与することを目的として、1994年から毎年開催されています。

今回、受賞対象となった電子線レジスト「ZEP530A」は、従来品より優れた解像度に加え、ドライエッチング耐性や広いプロセスマージンを有しており、薄膜化により、ハーフピッチ(hp)17nmのレジストパターンの解像が確認されています。

日本ゼオンは、主鎖切断型のポジ型電子線レジスト*1のZEPシリーズを国内外に展開していますが、次世代電子部品向けに開発され、昨年上市された本製品は、5G(第5世代移動通信システム)時代の本格的な到来を前に、既に量産が開始されており、お客様にご好評いただいています。

ゼオングループは今後も、独自で培った技術を更に発展させながら、新たな時代のニーズにお応えできるよう努めてまいります。

(なお、授賞式・表彰式は例年、JPCA Show《電子機器トータルソリューション展》会場内で開催されていますが、本年は新型コロナウイルスの感染拡大が懸念されることから、開催は中止となりました。)

走査型電子顕微鏡による上面観察写真
(hp 17nm L/S)

レジスト膜厚  40nm<br>描画装置    ELS-F150(株式会社エリオニクス) レジスト膜厚  40nm
描画装置    ELS-F150(株式会社エリオニクス)

【用語説明】

*1 主鎖切断型のポジ型電子線レジスト
電子線照射によりポリマーの主鎖がモノマー単位にまで分解するようにポリマー設計したポジ型電子線レジスト

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  • 日本ゼオン株式会社 CSR統括部門 広報室
  • Tel:03-3216-2747
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