TECHNICAL DETAILS
公募中の技術詳細
電子材料樹脂の低誘電化を実現する中空粒子（開発品）
- 公開範囲
- ローカル
- 締切
- 2024/07/31
- 担当部署
- ZEON NEXT探索室
- 概略
- 日本ゼオンの技術を活用して作成された中空状のマイクロ粒子。最大75%の高空隙率ながら高い溶剤性も有しており、エポキシ、ポリイミド、変性PPEなどの熱硬化性樹脂への添加が可能。
- 基本性能
-
粒子径：2～20µm
空隙率：60～75％
比誘電率：1.35＠1GHz、1.35＠10GHz
誘電正接：0.0005＠1GHz、0.0005＠10GHz
使用環境：大気下 308℃、窒素下 367℃ (5％重量減少温度)
- 想定される適用範囲
-
高周波帯で使用される電子材料樹脂のフィラー材料として
低誘電特性が求められるワニスのフィラー材料として
- 募集条件
-
応募は当該製品を活用した事業化を協働してくれる法人様で実際に中空粒子を使用して、
開発活動を行って頂ける企業を想定しています。
技術事項
電子材料向け中空粒子の物性表
| 項目 | 測定条件 | 単位 | 低誘電中空粒子 （空隙率70%） |
低誘電中空粒子 （空隙率75%） |
|---|---|---|---|---|
| 体積平均粒子径 | コールターカウンター方式 | um | 2.6 | 2.1 |
| 比誘電率(10GHz) | 空洞共振法 | - | 1.35 | 1.31 |
| 誘電正接(10GHz) | 空洞共振法 | - | 0.0005 | 0.0004 |
| 線膨張係数 | TMA (23~100C) | ppm | 53 | - |
| 熱分解温度 | Tg-DTA (5wt%質量減、Air下) |
IC | 336 | 340 |
※上記は提供可能な電子材料向け中空粒子の代表的な物性です
中空粒子添加時の低誘電化効果
市販の電子材料向け樹脂ワニスに中空粒子を添加して、硬化させ、樹脂フィル作成し、SEM観察および電気特性を測定しました。
樹脂フィルム中でも空隙を維持し、中空粒子の添加量に伴い、比誘電率、誘電正接の低下が確認されています。
SEM像
中空粒子入りエポキシフィルムの断面SEM像
樹脂フィルム電気特性測定
測定条件
- 測定方法
- 空洞共振法
- 周波数
- 10GHz
- 測定環境
- 温度23℃±1℃、湿度50％
- 中空粒子
- 2.3µm、空隙率70％
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